發(fā)布時(shí)間：2019/9/25 17:18:45
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2019-05-15 來(lái)源：寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng )新聯(lián)盟
據外媒報道，在2019年歐洲PCIM電力電子貿易展上，安森美半導體公司展示新款基于碳化硅(SiC)的混合IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，以及隔離高電流IGBT門(mén)驅動(dòng)器。這些產(chǎn)品采用硅基IGBT，結合SiC肖特基二極管技術(shù)，充分利用SiC技術(shù)的效率優(yōu)勢和硅的成本優(yōu)勢。
AFGHL50T65SQDC采用最新的場(chǎng)截止式IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，在多種電力應用中，降低傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗，包括那些將受益于反向恢復損耗減少的應用，如基于圖騰柱的無(wú)橋功率因數校正(PFC)和變流器。硅基解決方案性能較低，完全基于SiC的解決方案成本又較高，該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘二極管聯(lián)合封裝，在性能和成本之間實(shí)現良好平衡。它的額定工作電壓為650V，能處理高達100 A @ 25°C (50 A @ 100°C)的連續電流，以及高達200 A的脈沖電流。對于需要更大電流能力的系統，正溫度系數讓并行操作變得簡(jiǎn)單易行。
現代電動(dòng)汽車(chē)不僅依靠能源行駛，在某些情況下，還可以?xún)Υ婺茉?，在高峰時(shí)間為家庭供電。因此，需要一個(gè)雙向充電器，能夠高效率開(kāi)關(guān)充電，確保能源在傳輸過(guò)程中不致浪費。在此類(lèi)用例中，帶有外部SiC二極管的IGBT，比MOSFET解決方案更加有效，因為沒(méi)有正向或反向復置損失。AFGHL50T65SQDC可以在最高175℃的結溫下工作，適用于要求非常嚴格的電力應用，包括汽車(chē)在內。另外，它完全符合AEC-Q101標準，可用于電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)車(chē)載充電器。
除了新款混合IGBT，安森美半導體還將在PCIM上發(fā)布一系列隔離高電流IGBT驅動(dòng)器。NCD(V)57000系列針對多種電力應用，包括太陽(yáng)能變流器、馬達驅動(dòng)器、不間斷供電系統(UPS)和汽車(chē)應用，如動(dòng)力系統和PTC加熱器。
NCD(V)57000系列是高電流單通道IGBT驅動(dòng)器，采用內部電流安全隔離設計，可在要求高的電力應用中高效運行。該器件具有互補輸入、開(kāi)路漏極故障和就緒輸出、有源米勒箝位、精準欠壓鎖定、軟關(guān)斷去飽和DESAT保護、負門(mén)極電壓引腳和獨立高低驅動(dòng)器輸出，實(shí)現系統設計的靈活性。它的額定電流隔離值大于5 kVrms，符合UL1577標準;工作電壓高于1200V;保證8mm爬電距離(輸入>輸出)，可滿(mǎn)足強化安全隔離要求。NCD(V)57000可產(chǎn)生7.8A驅動(dòng)電流和7.1A汲電流，超過(guò)若干競品的三倍。更重要的是，在開(kāi)關(guān)波形中的米勒高原運行時(shí)，電流能力更強。加上領(lǐng)先的保護功能，堪稱(chēng)為一流的IGBT驅動(dòng)器。
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